|
|
|
Лавинные фотодиодные модули (ЛФД-модули) Hamamatsu C10508-01 |
φ1.0 |
10 |
— |
±5.0 max. |
1.25 × 10⁷ |
±5 |
Без охлаждения |
стабильный |
Фотоэлектрическая чувствительность: M=250, λ=800 нм, Стабильность коэффициента усиления по температуре: 0~40 °C |
|
|
|
|
Лавинные фотодиодные модули (ЛФД-модули) Hamamatsu C12702-03 |
φ1.0 |
100 |
0.004 |
±2.5 |
-6.8 × 10⁴ |
5 |
Без охлаждения |
Тип для ближнего ИК-диапазона |
Фотоэлектрическая чувствительность: M=30. Стабильность коэффициента усиления при температуре: 25±10 °C, M=30 |
|
|
|
|
Лавинные фотодиодные модули (ЛФД-модули) Hamamatsu C12702-04 |
φ3.0 |
80 |
0.004 |
±2.5 |
-2.30 × 10⁴ |
5 |
Без охлаждения |
Тип для ближнего ИК-диапазона |
Фотоэлектрическая чувствительность: M=30. Стабильность коэффициента усиления при температуре: 25±10 °C, M=30 |
|
|
|
|
Лавинные фотодиодные модули (ЛФД-модули) Hamamatsu C12702-11 |
φ1.0 |
100 |
0.004 |
±2.5 |
-2.5 × 10⁴ |
5 |
Без охлаждения |
Коротковолновый тип |
Фотоэлектрическая чувствительность: M=30. Стабильность коэффициента усиления при температуре: 25±10 °C, M=30 |
|
|
|
|
Лавинные фотодиодные модули (ЛФД-модули) Hamamatsu C12702-12 |
φ3.0 |
40 |
0.004 |
±2.5 |
-1.9 × 10⁴ |
5 |
Без охлаждения |
Коротковолновый тип |
Фотоэлектрическая чувствительность: M=30. Стабильность коэффициента усиления при температуре: 25±10 °C, M=30 |
|
|
|
|
Лавинные фотодиодные модули (ЛФД-модули) Hamamatsu C12703 |
φ1.5 |
10 |
— |
±2.5 |
1.50 × 10⁶ |
±12 |
Без охлаждения |
высокая чувствительность |
Фотоэлектрическая чувствительность: M=30, λ=800 нм, температурная стабильность коэффициента усиления: 25±10 °C, M=30 |
|
|
|
|
Лавинные фотодиодные модули (ЛФД-модули) Hamamatsu C12703-01 |
φ3.0 |
0.1 |
— |
±2.5 |
-1.50 × 10⁸ |
±12 |
Без охлаждения |
высокая чувствительность |
Фотоэлектрическая чувствительность: M=30, λ=800 нм, температурная стабильность коэффициента усиления: 25±10 °C, M=30 |
|
|
|
|
Лавинные фотодиодные модули (ЛФД-модули) Hamamatsu C5658 |
φ0.5 |
1000 |
0.05 |
±5.0 |
2.50 × 10⁵ |
12 |
Без охлаждения |
быстродействующий |
Фотоэлектрическая чувствительность: M=100, λ=800 нм, температурная стабильность коэффициента усиления: 25±10 °C |
|