Матрицы кремниевых ЛФД (Si APD arrays) Hamamatsu

Модель	Документация	Название	Размер φоточувствительной области [мм]	Диапазон спектральной чувствительности [нм]	Напряжение пробоя (тип.) [В]	Температурный коэффициент напряжения пробоя (тип.) [В]	Частота среза (тип.) [МГц]	Коэффициент усиления (тип.)	Тип	Длина волны максимальной чувствительности (тип.) [нм]	Темновой ток (макс.) [нА]	Емкость выводов (тип.) [пФ]	Тип корпуса	Условия измерения	В запрос
S15249		Матрицы кремниевых ЛФД (Si APD arrays) Hamamatsu S15249	0.7 ×2.0	350 - 1000	160	0.15/℃	100	50	массив элементов	600	5	25	Стеклотекстолит	Ta=25 °C, на один элемент, Фоточувствительность: M=1, λ=450 нм, Длина волны максимальной чувствительности: M=50, Темновой ток: M=50, Частота среза: M=50, λ=450 нм, R L =50 Ω, -3 dB, Емкость выводов: M=50, f=100 кГц, Напряжение пробоя: I D =100 мкА, Коэффициент усиления: λ=450 нм, если не указано иное
S8550-02		Матрицы кремниевых ЛФД (Si APD arrays) Hamamatsu S8550-02	1.6 × 1.6	320 - 1000	400	0.78/℃	250	50	Массив из 4×8 элементов	600	10	9	Керамический	Ta=25 °C, Длина волны максимальной чувствительности: M=50, Темновой ток: Per 1 element, M=50, Емкость выводов: Per 1 element, M=50, f=10 кГц, если не указано иное