Кремниевые лавинные фотодиоды (Si APD) Hamamatsu

Модель	Документация	Название	Размер φоточувствительной области [мм]	Диапазон спектральной чувствительности [нм]	Напряжение пробоя (тип.) [В]	Температурный коэффициент напряжения пробоя (тип.) [В]	Частота среза (тип.) [МГц]	Коэффициент усиления (тип.)	Категория корпуса	Охлаждение	Тип	Длина волны максимальной чувствительности (тип.) [нм]	Фоточувствительность (тип.) [А/Вт]	Темновой ток (макс.) [нА]	Емкость выводов (тип.) [пФ]	Тип корпуса	Условия измерения	Длина волны (коротковолновая граница) [нм]	Длина волны (длинноволновая граница) [нм]	Длина волны (в максимуме) [нм]	Количество элементов	Рабочая температура [°C]	В запрос
S10341-02		S10341-02 Hamamatsu Кремниевый фотодиод	φ0,2	—	—	—	1000	—	—	Без охлаждения	—	—	0,5	—	—	Пластиковый	—	400	1000	800	1	-20...+60
S10341-05		S10341-05 Hamamatsu Кремниевый фотодиод	φ0,5	—	—	—	900	—	—	Без охлаждения	—	—	0,5	—	—	Пластиковый	—	400	1000	800	1	-20...+60
S11519-10		S11519-10 Hamamatsu Кремниевый фотодиод	φ1,0	—	—	—	400	70	—	Без охлаждения	—	—	—	—	—	TO-5	—	600	1150	960	1	-20...+60
S11519-30		S11519-30 Hamamatsu Кремниевый фотодиод	φ3,0	—	—	—	230	70	—	Без охлаждения	—	—	—	—	—	TO-8	—	600	1150	960	1	-20...+60
S12023-02		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12023-02	φ0.2	400 - 1000	150	0.65/℃	1000	100	TO-18	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	0.5	1	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12023-05		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12023-05	φ0.5	400 - 1000	150	0.65/℃	900	100	TO-18	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	1	2	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12023-10		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12023-10	φ1	400 - 1000	150	0.65/℃	600	100	TO-18	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	2	6	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12023-10A		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12023-10A	φ1	400 - 1000	150	0.65/℃	600	100	TO-18	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	2	6	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12051		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12051	φ0.5	400 - 1000	150	0.65/℃	900	100	TO-18	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	1	2	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12053-02		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12053-02	φ0.2	200 - 1000	160	0.15/℃	1500	50	TO-18	Без охлаждения	Коротковолновый тип	620	0.42	5	1.6	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=620 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12053-05		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12053-05	φ0.5	200 - 1000	160	0.15/℃	650	50	TO-18	Без охлаждения	Коротковолновый тип	620	0.42	2	5	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=620 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12053-10		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12053-10	φ1	200 - 1000	160	0.15/℃	250	50	TO-18	Без охлаждения	Коротковолновый тип	620	0.42	2	14	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=620 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12060-02		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12060-02	φ0.2	400 - 1000	200	0.4/℃	1000	100	TO-18	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	0.5	1.5	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12060-05		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12060-05	φ0.5	400 - 1000	200	0.4/℃	900	100	TO-18	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	1	2.5	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12060-10		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12060-10	φ1	400 - 1000	200	0.4/℃	600	100	TO-18	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	2	6	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12086		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12086	φ0.5	400 - 1000	150	0.65/℃	900	100	TO-18	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	1	2	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12092-02		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12092-02	φ0.2	440 - 1100	250	1.85/℃	400	100	TO-18	Без охлаждения	Near infrared type (900 нм band, low Емкость выводов)	860	0.52	1	0.4	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=900 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12092-05		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12092-05	φ0.5	440 - 1100	250	1.85/℃	400	100	TO-18	Без охлаждения	Near infrared type (900 нм band, low Емкость выводов)	860	0.52	2	0.7	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=900 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12426-02		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12426-02	φ0.2	400 - 1100	160	1.1/℃	650	100	TO-18	Без охлаждения	Высокоскоростной тип (для 900 нм, работа с низким смещением)	840	0.52	1	0.5	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=900 нм, M=1	—	—	—	—	—
S12426-05		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S12426-05	φ0.5	400 - 1100	160	1.1/℃	600	100	TO-18	Без охлаждения	Высокоскоростной тип (для 900 нм, работа с низким смещением)	840	0.52	2	1.1	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=900 нм, M=1	—	—	—	—	—
S14124-20		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S14124-20	φ2.0	—	400	0.78/℃	250	400	TO-8	Без охлаждения	Коротковолновый тип	600	—	10	11	Металлический	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное	—	—	—	—	—
S15413-02		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S15413-02	φ0.2	400 - 1000	—	—	1500	50	Для поверхностного монтажа (SMD)	Без охлаждения	Тип со стабилизацией коэффициента усиления	760	0.42	0.1	0.6	Стеклотекстолит	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное	—	—	—	—	—
S15414-02		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S15414-02	φ0.2	400 - 1000	—	—	1200	50	Для поверхностного монтажа (SMD)	Без охлаждения	Тип со стабилизацией коэффициента усиления	800	0.52	0.15	0.6	Стеклотекстолит	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное	—	—	—	—	—
S15414-05		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S15414-05	φ0.5	400 - 1000	—	—	1000	50	Для поверхностного монтажа (SMD)	Без охлаждения	Тип со стабилизацией коэффициента усиления	800	0.52	0.3	1.4	Стеклотекстолит	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное	—	—	—	—	—
S15415-02		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S15415-02	φ0.2	400 - 1100	—	—	500	50	Для поверхностного монтажа (SMD)	Без охлаждения	Тип со стабилизацией коэффициента усиления	840	0.5	0.2	0.5	Стеклотекстолит	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное	—	—	—	—	—
S15415-05		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S15415-05	φ0.5	400 - 1100	—	—	500	50	Для поверхностного монтажа (SMD)	Без охлаждения	Тип со стабилизацией коэффициента усиления	840	0.5	0.4	1.1	Стеклотекстолит	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное	—	—	—	—	—
S16453-02K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S16453-02K	φ0.2	320 - 1000	400	0.78/℃	700	50	TO-5	Без охлаждения	Коротковолновый тип	550	0.3	1	0.8	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=420 нм, M=1	—	—	—	—	—
S16453-05K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S16453-05K	φ0.5	320 - 1000	400	0.78/℃	680	50	TO-5	Без охлаждения	Коротковолновый тип	550	0.3	1.5	1.6	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=420 нм, M=1	—	—	—	—	—
S16453-10K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S16453-10K	φ1.0	320 - 1000	400	0.78/℃	470	50	TO-5	Без охлаждения	Коротковолновый тип	550	0.3	3	4	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=420 нм, M=1	—	—	—	—	—
S16453-20K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S16453-20K	φ2.0	320 - 1000	400	0.78/℃	165	50	TO-5	Без охлаждения	Коротковолновый тип	550	0.3	6	11	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=420 нм, M=1	—	—	—	—	—
S16453-30K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S16453-30K	φ3	320 - 1000	400	0.78/℃	75	50	TO-8	Без охлаждения	Коротковолновый тип	550	0.3	15	22	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=420 нм, M=1	—	—	—	—	—
S16453-50K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S16453-50K	φ5	320 - 1000	400	0.78/℃	30	50	TO-8	Без охлаждения	Коротковолновый тип	550	0.3	35	55	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=420 нм, M=1	—	—	—	—	—
S17268-02		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S17268-02	φ0.2	350 - 1000	160	0.15/℃	2000	50	Для поверхностного монтажа (SMD)	Без охлаждения	Коротковолновый тип	600	0.3	1	1	Стеклотекстолит	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=450 нм, M=1, Напряжение пробоя: I D =100 мкА, Темновой ток: M=50, Cutoff frefuency: M=50, R L =50 Ω, λ=450 нм, -3 dB, Емкость выводов: M=50, f=1 МГц	—	—	—	—	—
S17268-05		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S17268-05	φ0.5	350 - 1000	160	0.15/℃	800	50	Для поверхностного монтажа (SMD)	Без охлаждения	Коротковолновый тип	600	0.3	2	3.6	Стеклотекстолит	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=450 нм, M=1, Напряжение пробоя: I D =100 мкА, Темновой ток: M=50, Cutoff frefuency: M=50, R L =50 Ω, λ=450 нм, -3 dB, Емкость выводов: M=50, f=1 МГц	—	—	—	—	—
S17353-02K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S17353-02K	φ0.2	320 - 1000	400	0.55/℃	1000	50	TO-5	Без охлаждения	Коротковолновый тип	750	0.44	5	1	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=650 нм, M=1	—	—	—	—	—
S17353-05K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S17353-05K	φ0.5	320 - 1000	400	0.55/℃	900	50	TO-5	Без охлаждения	Коротковолновый тип	750	0.44	8	2.2	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=650 нм, M=1	—	—	—	—	—
S17353-10K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S17353-10K	φ1	320 - 1000	400	0.55/℃	500	50	TO-5	Без охлаждения	Коротковолновый тип	750	0.44	10	5.5	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=650 нм, M=1	—	—	—	—	—
S17353-20K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S17353-20K	φ2	320 - 1000	400	0.55/℃	200	50	TO-5	Без охлаждения	Коротковолновый тип	750	0.44	25	15	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=650 нм, M=1	—	—	—	—	—
S17353-30K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S17353-30K	φ3	320 - 1000	400	0.55/℃	90	50	TO-8	Без охлаждения	Коротковолновый тип	750	0.44	50	35	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=650 нм, M=1	—	—	—	—	—
S17353-50K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S17353-50K	φ5	320 - 1000	400	0.55/℃	35	50	TO-8	Без охлаждения	Коротковолновый тип	750	0.44	130	85	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=650 нм, M=1	—	—	—	—	—
S2384		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S2384	φ3	400 - 1000	150	0.65/℃	120	60	TO-5	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	10	40	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S2385		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S2385	φ5	400 - 1000	150	0.65/℃	40	40	TO-8	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	30	95	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S3884		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S3884	φ1.5	400 - 1000	150	0.65/℃	400	100	TO-5	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	5	10	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S4315		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S4315	φ0.2	400 - 1000	180	0.65/℃	1000	100	TO-8	Термоэлектрическое (TE)	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	0.5	1	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S4315-01		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S4315-01	φ0.5	400 - 1000	180	0.65/℃	900	100	TO-8	Термоэлектрическое (TE)	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	1	2	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S4315-02		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S4315-02	φ1	400 - 1000	180	0.65/℃	600	100	TO-8	Термоэлектрическое (TE)	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	2	6	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S4315-04		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S4315-04	φ3	400 - 1000	180	0.65/℃	120	60	TO-8	Термоэлектрическое (TE)	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	10	40	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S5344		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S5344	φ3	200 - 1000	160	0.15/℃	25	50	TO-5	Без охлаждения	Коротковолновый тип	620	0.42	10	120	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=620 нм, M=1	—	—	—	—	—
S5345		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S5345	φ5	200 - 1000	160	0.15/℃	8	50	TO-8	Без охлаждения	Коротковолновый тип	620	0.42	30	300	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=620 нм, M=1	—	—	—	—	—
S6045-04		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S6045-04	φ1.5	400 - 1000	200	0.4/℃	350	100	TO-5	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	5	12	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S6045-05		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S6045-05	φ3	400 - 1000	200	0.4/℃	80	60	TO-5	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	10	50	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S6045-06		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S6045-06	φ5	400 - 1000	200	0.4/℃	35	40	TO-8	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	800	0.5	30	120	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=800 нм, M=1	—	—	—	—	—
S8664-02K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S8664-02K	φ0.2	320 - 1000	400	0.78/℃	700	50	TO-5	Без охлаждения	Коротковолновый тип (низкая емкость выводов)	600	0.24	1	0.8	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=420 нм, M=1	—	—	—	—	—
S8664-05K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S8664-05K	φ0.5	320 - 1000	400	0.78/℃	680	50	TO-5	Без охлаждения	Коротковолновый тип (низкая емкость выводов)	600	0.24	1.5	1.6	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=420 нм, M=1	—	—	—	—	—
S8664-1010		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S8664-1010	10 × 10	320 - 1000	400	0.78/℃	11	50	—	Без охлаждения	Коротковолновый тип (низкая емкость выводов)	600	0.24	100	270	Керамический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=420 нм, M=1	—	—	—	—	—
S8664-10K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S8664-10K	φ1	320 - 1000	400	0.78/℃	530	50	TO-5	Без охлаждения	Коротковолновый тип (низкая емкость выводов)	600	0.24	3	4	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=420 нм, M=1	—	—	—	—	—
S8664-20K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S8664-20K	φ2	320 - 1000	400	0.78/℃	280	50	TO-5	Без охлаждения	Коротковолновый тип (низкая емкость выводов)	600	0.24	6	11	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=420 нм, M=1	—	—	—	—	—
S8664-30K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S8664-30K	φ3	320 - 1000	400	0.78/℃	140	50	TO-8	Без охлаждения	Коротковолновый тип (низкая емкость выводов)	600	0.24	15	22	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=420 нм, M=1	—	—	—	—	—
S8664-50K		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S8664-50K	φ5	320 - 1000	400	0.78/℃	60	50	TO-8	Без охлаждения	Коротковолновый тип (низкая емкость выводов)	600	0.24	35	55	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=420 нм, M=1	—	—	—	—	—
S8664-55		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S8664-55	5 × 5	320 - 1000	400	0.78/℃	40	50	—	Без охлаждения	Коротковолновый тип (низкая емкость выводов)	600	0.24	50	80	Керамический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=420 нм, M=1	—	—	—	—	—
S8890-02		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S8890-02	φ0.2	400 - 1100	500	3.5/℃	280	100	TO-5	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	940	—	2	0.2	Металлический	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное, M = 100	—	—	—	—	—
S8890-05		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S8890-05	φ0.5	400 - 1100	500	3.5/℃	240	100	TO-5	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	940	70	15	0.5	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=940 нм, M=100	—	—	—	—	—
S8890-10		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S8890-10	φ1	400 - 1100	500	3.5/℃	230	100	TO-5	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	940	70	50	1.5	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=940 нм, M=100	—	—	—	—	—
S8890-15		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S8890-15	φ1.5	400 - 1100	500	3.5/℃	220	100	TO-5	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	940	70	100	2.5	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=940 нм, M=100	—	—	—	—	—
S8890-30		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S8890-30	φ3	400 - 1100	500	3.5/℃	220	100	TO-8	Без охлаждения	Тип для ближнего ИК-диапазона	940	70	150	8	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=940 нм, M=100	—	—	—	—	—
S9075		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S9075	φ1.5	200 - 1000	160	0.15/℃	100	50	TO-5	Без охлаждения	Коротковолновый тип	620	0.42	5	30	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=620 нм, M=1	—	—	—	—	—
S9251-10		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S9251-10	φ1	440 - 1100	250	1.85/℃	380	100	TO-5	Без охлаждения	Near infrared type (900 нм band, low Емкость выводов)	860	0.52	4	1.9	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=900 нм, M=1	—	—	—	—	—
S9251-15		Кремниевый лавинный фотодиод (Si APD) Hamamatsu S9251-15	φ1.5	440 - 1100	250	1.85/℃	350	100	TO-5	Без охлаждения	Near infrared type (900 нм band, low Емкость выводов)	860	0.52	8	3.6	Металлический	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=900 нм, M=1	—	—	—	—	—