Кремниевый лавинный фотодиод Si APD Hamamatsu S11519-10
Высокочувствительный Si APD S11519-10 с улучшенной чувствительностью в БИК-диапазоне, коэффициентом усиления 70 и полосой 400 МГц в корпусе TO-5.
| Размер φоточувствительной области [мм] | φ1,0 |
| Частота среза (тип.) [МГц] | 400 |
| Коэффициент усиления (тип.) | 70 |
| Охлаждение | Без охлаждения |
| Тип корпуса | TO-5 |
| Длина волны (коротковолновая граница) [нм] | 600 |
| Длина волны (длинноволновая граница) [нм] | 1150 |
| Длина волны (в максимуме) [нм] | 960 |
| Количество элементов | 1 |
| Рабочая температура [°C] | -20...+60 |
-
- Оптимизация для работы в диапазоне 900–1064 нм
- Высокий внутренний коэффициент умножения M=70
- Широкая полоса пропускания 400 МГц
- Лидары (LiDAR) и лазерные дальномеры
- Спектрометрия с временным разрешением
- Оптическая томография (OCT)