Кремниевый лавинный фотодиод Si APD Hamamatsu S11519-30
Кремниевый лавинный фотодиод S11519-30 с площадкой ф3,0 мм и высоким квантовым выходом на 1064 нм в металлическом корпусе TO-8.
| Размер φоточувствительной области [мм] | φ3,0 |
| Частота среза (тип.) [МГц] | 230 |
| Коэффициент усиления (тип.) | 70 |
| Охлаждение | Без охлаждения |
| Тип корпуса | TO-8 |
| Длина волны (коротковолновая граница) [нм] | 600 |
| Длина волны (длинноволновая граница) [нм] | 1150 |
| Длина волны (в максимуме) [нм] | 960 |
| Количество элементов | 1 |
| Рабочая температура [°C] | -20...+60 |
-
- Большая чувствительная апертура ф3,0 мм
- Высокая чувствительность в диапазоне до 1150 нм
- Лавинное усиление M=70
- Лидарные системы дальнего действия
- Детектирование диффузного лазерного излучения
- Лабораторные исследовательские комплексы