Матрицы InAsSb детекторов Hamamatsu

Дистрибьютор продукции HAMAMATSU в России. Прямые оптовые поставки от производителя.

order@hamamatsu.su

Дистрибьютор продукции HAMAMATSU в России

order@hamamatsu.su

Таблица характеристик

Ta=25 °C, Detectivity D*: (λp, 1200, 1), Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц

18-выводный керамический DIP 48-выводный керамический DIP

Без охлаждения

40 50

16 46

4.2 × 10 -11/Hz 1/2 5.6 × 10 -11/Hz 1/2

4.1

0.2 × 0.7 0.45 × 0.7

1.0 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт

5.3

6.5 14.6

Модель	Документация	Название	Условия измерения	Тип корпуса	Охлаждение	Емкость выводов (тип.) [пФ]	Количество элементов	Эквивалентная мощность шума (тип.) [Вт]	Длина волны максимальной чувствительности (тип.) [мкм]	Размер элемента (на 1 элемент) [мм]	Время нарастания (тип.) [нс]	Удельная обнаружительная способность D* (тип.) [Вт]	Граничная длина волны (тип.) [мкм]	Фоточувствительность (тип.) [мА/Вт]	В запрос
P15742-016DS		Матрица InAsSb-фотовольтаических детекторов Hamamatsu P15742-016DS	Ta=25 °C, Detectivity D*: (λp, 1200, 1), Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	18-выводный керамический DIP	Без охлаждения	40	16	5.6 × 10 -11/Hz 1/2	4.1	0.45 × 0.7	15	1.0 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт	5.3	6.5
P15742-046DS		Матрица InAsSb-фотовольтаических детекторов Hamamatsu P15742-046DS	Ta=25 °C, Detectivity D*: (λp, 1200, 1), Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	48-выводный керамический DIP	Без охлаждения	50	46	4.2 × 10 -11/Hz 1/2	4.1	0.2 × 0.7	15	1.0 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт	5.3	14.6