Фотовольтаические детекторы InAsSb Hamamatsu

Главная Каталог Оптические датчики Инфракрасные детекторы (ИК-детекторы) Индий-мышьяк-сурьмяные (InAsSb) фотовольтаические детекторы

Фотогальванические детекторы InAsSb обеспечивают высокую чувствительность в диапазонах 5 мкм, 8 мкм и 11 мкм. Доступны охлаждаемые и неохлаждаемые варианты, а также металлические и керамические корпуса для поверхностного монтажа (на плате).

Таблица характеристик

Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц Td = -30 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц

TO-46 TO-5 TO-8 Керамический Металлический

Без охлаждения Двухкаскадное ТЭ-охлаждение Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение Неохлаждаемый Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение

TO-46 TO-46 (с BPF) TO-5 TO-8 Для поверхностного монтажа (SMD) поверхностный монтаж

0,7 × 0,7 0.7 × 0.7 1 × 1 1,0 × 1,0 2 × 2 φ1 ф1

1 2

0.7 × 10 -10/Hz 1/2 1.0 × 10 -10/Hz 1/2 1.1 × 10 -10/Hz 1/2 1.1 × 10 -10/Hz 1/2 9.5 × 10 -11/Hz 1/2 1.8 × 10 -11/Hz 1/2 2.0 × 10 -10/Hz 1/2 4.3 × 10 -11/Hz 1/2 7.1 × 10 -10/Hz 1/2 8.0 × 10 -9/Hz 1/2 8.2 × 10 -11/Hz 1/2 9.5 × 10 -11/Hz 1/2 9.5 × 10 -11/Hz 1/2 9.5 × 11 -11/Hz 1/2

3,3 (BPF) 3,3 (BPF) 3,9 (BPF) 3,5 3,9 (BPF) 3,9 (BPF) 4,26 (BPF) 4,26 (BPF) 4,47 (база на поле) 4,5 (BPF) 4,71 (BPF) 4,9 4.1 5,6 6,5 6,7 7,4

3 15 100 400

1.0 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт 1.0 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт 1.9 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт 2.8 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт 3.0 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт 5.0 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт 6.3 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт 6.5 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт 6.5 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт7.4 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт 6.8 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт 7.4 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт 7.4 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт7.4 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт 8.6 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт

11,0 5,3 5.1 5.2 5.3 5.9 8.3 11 8,3

2.8 2.8 3.2 3.1 3.2 3.7 4.5 5 6.1 8 8.6 8.8 65 1600 3.2 3.2

0.5 0.8 1.2 20 100

100

-30...+70

Модель	Название	Условия измерения	Тип корпуса	Охлаждение	Категория корпуса	Размер фоточувствительной области [мм]	Количество элементов	Эквивалентная мощность шума (тип.) [Вт]	Длина волны максимальной чувствительности (тип.) [мкм]	Время нарастания (тип.) [нс]	Удельная обнаружительная способность D* (тип.) [Вт]	Граничная длина волны (тип.) [мкм]	Фоточувствительность (тип.) [мА/Вт]	Емкость выводов (тип.) [пФ]	Частота среза (тип.) [МГц]	Фоточувствительность (тип.) [В/Вт]	Рабочая температура [°C]
P11120-201	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P11120-201	Td = -30 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	TO-8	φ1	1	1.8 × 10 -11/Hz 1/2	4,9	400	5.0 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт	5.9	1600	—	—	—	—
P13243-022MS	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P13243-022MS	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Без охлаждения	TO-5	2 × 2	1	2.0 × 10 -10/Hz 1/2	4.1	100	1.0 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт	5.3	8	20	—	—	—
P13243-122MS	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P13243-122MS	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	TO-8	2 × 2	1	1.0 × 10 -10/Hz 1/2	4.1	100	1.9 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт	5.2	8.6	20	—	—	—
P13243-222MS	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P13243-222MS	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	TO-8	2 × 2	1	0.7 × 10 -10/Hz 1/2	4.1	100	2.8 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт	5.1	8.8	20	—	—	—
P16112-011MA	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16112-011MA	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Без охлаждения	TO-46	0.7 × 0.7	1	4.3 × 10 -11/Hz 1/2	4.1	15	1.0 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт	5.3	4.5	0.5	—	—	—
P16112-033MF	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16112-033MF	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Без охлаждения	TO-46 (с BPF)	0.7 × 0.7	1	1.1 × 10 -10/Hz 1/2	3,3 (BPF)	15	6.5 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	—	2.8	0.5	—	—	—
P16112-039MF	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16112-039MF	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Без охлаждения	TO-46 (с BPF)	0.7 × 0.7	1	9.5 × 11 -11/Hz 1/2	3,9 (BPF)	15	7.4 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	—	3.2	0.5	—	—	—
P16112-043MF	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16112-043MF	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Без охлаждения	TO-46 (с BPF)	0.7 × 0.7	1	9.5 × 11 -11/Hz 1/2	4,26 (BPF)	15	7.4 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	—	3.2	0.5	—	—	—
P16112-044MF	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16112-044MF	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Без охлаждения	TO-46 (с BPF)	0.7 × 0.7	1	1.0 × 10 -10/Hz 1/2	4,47 (база на поле)	15	6.8 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	—	3.1	0.5	—	—	—
P16112-045MF	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16112-045MF	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Без охлаждения	TO-46 (с BPF)	0.7 × 0.7	1	8.2 × 10 -11/Hz 1/2	4,5 (BPF)	15	8.6 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	—	3.7	0.5	—	—	—
P16112-047MF	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16112-047MF	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Без охлаждения	TO-46 (с BPF)	0.7 × 0.7	1	1.1 × 10 -10/Hz 1/2	4,71 (BPF)	15	6.3 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	—	2.8	0.5	—	—	—
P16113-011MN	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16113-011MN	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Без охлаждения	TO-5	0.7 × 0.7	1	2.0 × 10 -10/Hz 1/2	6,5	3	3.0 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	8.3	6.1	0.8	—	—	—
P16114-011MN	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16114-011MN	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Без охлаждения	TO-5	0.7 × 0.7	1	7.1 × 10 -10/Hz 1/2	7,4	3	1.0 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	11	5	1.2	—	—	—
P16612-011CA	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16612-011CA	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Керамический	Без охлаждения	Для поверхностного монтажа (SMD)	0.7 × 0.7	1	4.3 × 10 -11/Hz 1/2	4.1	15	1.0 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт	5.3	4.5	0.5	—	—	—
P16612-011CN	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16612-011CN	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Керамический	Без охлаждения	Для поверхностного монтажа (SMD)	0.7 × 0.7	1	4.3 × 10 -11/Hz 1/2	4.1	15	1.0 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт	5.3	4.5	0.5	—	—	—
P16612-033CF	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16612-033CF	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Керамический	Без охлаждения	поверхностный монтаж	0.7 × 0.7	1	1.1 × 10 -10/Hz 1/2	3,3 (BPF)	15	6.5 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	—	2.8	0.5	—	—	—
P16612-039CF	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16612-039CF	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Керамический	Без охлаждения	поверхностный монтаж	0.7 × 0.7	1	9.5 × 11 -11/Hz 1/2	3,9 (BPF)	15	7.4 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	—	3.2	0.5	—	—	—
P16612-043CF	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16612-043CF	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Керамический	Без охлаждения	поверхностный монтаж	0.7 × 0.7	1	9.5 × 11 -11/Hz 1/2	4,26 (BPF)	15	7.4 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	—	3.2	0.5	—	—	—
P16612-044CF	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16612-044CF	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Керамический	Без охлаждения	поверхностный монтаж	0.7 × 0.7	1	1.0 × 10 -10/Hz 1/2	4,47 (база на поле)	15	6.8 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	—	3.1	0.5	—	—	—
P16612-045CF	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16612-045CF	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Керамический	Без охлаждения	поверхностный монтаж	0.7 × 0.7	1	8.2 × 10 -11/Hz 1/2	4,5 (BPF)	15	8.6 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	—	3.7	0.5	—	—	—
P16612-047CF	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16612-047CF	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Керамический	Без охлаждения	поверхностный монтаж	0.7 × 0.7	1	1.1 × 10 -10/Hz 1/2	4,71 (BPF)	15	6.3 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	—	2.8	0.5	—	—	—
P16613-011CN	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16613-011CN	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Керамический	Без охлаждения	Для поверхностного монтажа (SMD)	0.7 × 0.7	1	2.0 × 10 -10/Hz 1/2	6,5	3	3.0 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	8.3	6.1	0.8	—	—	—
P16614-011CN	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16614-011CN	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Керамический	Без охлаждения	Для поверхностного монтажа (SMD)	0.7 × 0.7	1	7.1 × 10 -10/Hz 1/2	7,4	3	1.0 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	11	5	1.2	—	—	—
P16702-011MN	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16702-011MN	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Без охлаждения	TO-5	0.7 × 0.7	1	8.0 × 10 -9/Hz 1/2	7,4	—	—	11	—	—	100	10	—
P16849-011CF	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16849-011CF	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Керамический	Без охлаждения	поверхностный монтаж	0.7 × 0.7	2	1.1 × 10 -10/Hz 1/2 9.5 × 10 -11/Hz 1/2	3,3 (BPF) 3,9 (BPF)	15	6.5 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт7.4 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	—	2.8 3.2	0.5	—	—	—
P16849-012CF	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16849-012CF	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Керамический	Без охлаждения	поверхностный монтаж	0.7 × 0.7	2	9.5 × 10 -11/Hz 1/2 9.5 × 10 -11/Hz 1/2	3,9 (BPF) 4,26 (BPF)	15	7.4 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт7.4 × 10⁸ см·Гц^(1/2)/Вт	—	3.2 3.2	0.5	—	—	—
P16849-013CN	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P16849-013CN	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Керамический	Без охлаждения	Для поверхностного монтажа (SMD)	0.7 × 0.7	2	4.3 × 10 -11/Hz 1/2	4.1	15	1.0 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт	5.3	4.5	0.5	—	—	—
P17442-011MS	InAsSb-фотовольтаический детектор Hamamatsu P17442-011MS	Ta = 25 °C, детективность D*: λ = λp, fc = 1200 Гц, Δf = 1 Гц	Металлический	Без охлаждения	TO-5	1 × 1	1	1.0 × 10 -10/Hz 1/2	4.1	15	1.0 × 10⁹ см·Гц^(1/2)/Вт	5.3	65	100	—	—	—
P12691-201	P12691-201 Hamamatsu Инфракрасный фотодиод	—	TO-8	Двухкаскадное ТЭ-охлаждение	—	ф1	1	—	6,7	—	—	8,3	—	—	—	—	-30...+70
P13243-011CA	P13243-011CA Hamamatsu Инфракрасный фотодиод	—	Керамический	Неохлаждаемый	—	0,7 × 0,7	1	—	3,5	—	—	5,3	—	—	—	—	-30...+70
P13243-011MA	P13243-011MA Hamamatsu Инфракрасный фотодиод	—	TO-46	Неохлаждаемый	—	0,7 × 0,7	1	—	3,5	—	—	5,3	—	—	—	—	-30...+70
P13894-011MA	P13894-011MA Hamamatsu Инфракрасный фотодиод	—	TO-5	Неохлаждаемый	—	1,0 × 1,0	1	—	5,6	—	—	11,0	—	—	—	—	-30...+70
P13894-011NA	P13894-011NA Hamamatsu Инфракрасный фотодиод	—	TO-5	Неохлаждаемый	—	1,0 × 1,0	1	—	5,6	—	—	11,0	—	—	—	—	-30...+70
P13894-211MA	P13894-211MA Hamamatsu Инфракрасный фотодиод	—	TO-8	Двухкаскадное ТЭ-охлаждение	—	1,0 × 1,0	1	—	5,6	—	—	11,0	—	—	—	—	-30...+70

Индий-мышьяк-сурьмяные (InAsSb) фотовольтаические детекторы Hamamatsu

Таблица характеристик

Настройка таблицы

Инфракрасные детекторы (ИК-детекторы)