InGaAs-фотодиоды Hamamatsu

Фотодиоды InGaAs для детектирования света в ближнем инфракрасном диапазоне. К их особенностям относятся высокая скорость, высокая чувствительность, низкий уровень шума и спектральный отклик в диапазоне от 0,5 мкм до 2,6 мкм.

Таблица характеристик

0,95 0.95 1 1,5 1,6 1,7 1.1 1.2 1.3

0.06 0.1 0.2 0.35 0.4 0.5 0.75 0.8 0.95 1 1,5 1.2 1.5 1.67 2.5 3 4 5 7.5 10 12.5 15 25 30 50 75 100 125 200 250 500 850 1000 1200 2000 2100 3000 4000 5000 6500 9000 10000 21000 30000 60000 90000 100000 300000

0,6 0.1 0.6 0.8 0.9 1 1.5 1.8 1.9 2 2.3 2.5 3 3.5 3.7 4 5 6 7 8 10 13 16 17 18 20 25 28 35 40 45 50 53 60 70 75 90 140 150 200 300 400 500 600 1000 2000

SMT (2 × 2 × 1 мм) TO-46 TO-8 Гибкий вывод (Pigtail) Керамика (SMT) Керамический Металлический Оптическая розетка (Receptacle) Пластиковый С разъемом (Receptacle)

SMT (2 × 2 × 1 мм) TO-18 TO-18 (с линзой) TO-46 TO-5 TO-66 TO-8 Гибкий вывод (Pigtail) Для поверхностного монтажа (SMD) Керамика (SMT) Панель Flip-Chip Плата Flip-Chip Поверхностный монтаж (COB) Поверхностный монтаж (негерметичный) С разъемом (Receptacle) поверхностный монтаж

0.5 .. 1.7 0.9 .. 1.65 0.9 .. 1.67 0.9 .. 1.7 0.9 .. 1.85 0.9 .. 1.87 0.9 .. 1.9 0.9 .. 2.05 0.9 .. 2.07 0.9 .. 2.1 0.9 .. 2.55 0.9 .. 2.57 0.9 .. 2.6

1,3 1,55 1.55 1.75 1.95 2.3

1 3 5 10 15 20 22 25 40 44 50 55 60 64 70 75 90 110 120 140 195 200 230 250 300 400 440 450 500 550 600 850 900 1000 1400 1500 1700 1800 2000 3200 3400 3500 4000 20000

Без охлаждения Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение Нет Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение Элемент Пельтье

тип. Ta=25 °C, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, -3 dB, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц, если не указано иное тип. Ta=25 °C, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, λ=1.55 мкм, -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц, если не указано иное тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =10 mV, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, λ=1.3 мкм -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, λ=1.3 мкм, -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =10 mV, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц тип. Tc=-25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, -3dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц

Ø0,3 Ø0,5 Ø1,0 Ø2,0 Ø2,54 Ø3,0 Ø5,0 Ø5,4 φ0.08 φ0.2 φ0.3 φ0.5 φ1.0 φ10.0 φ2.0 φ3.0 φ5.0

1.0×10 -12/Hz 1/2 1.0×10 -14/Hz 1/2 1.3×10 -15/Hz 1/2 1.4×10 -14/Hz 1/2 1.5×10 -13/Hz 1/2 1.5×10 -14/Hz 1/2 1×10 -12/Hz 1/2 1×10 -13/Hz 1/2 2.0×10 -13/Hz 1/2 2.0×10 -14/Hz 1/2 2.0×10 -15/Hz 1/2 2.5×10 -13/Hz 1/2 2.5×10 -14/Hz 1/2 2.7×10 -15/Hz 1/2 2.8×10 -14/Hz 1/2 2×10 -12/Hz 1/2 2×10 -13/Hz 1/2 2×10 -14/Hz 1/2 2×10 -15/Hz 1/2 3.0×10 -14/Hz 1/2 3.2×10 -15/Hz 1/2 3.5×10 -14/Hz 1/2 3.5×10 -15/Hz 1/2 3×10 -12/Hz 1/2 3×10 -14/Hz 1/2 3×10 -15/Hz 1/2 4.0×10 -13/Hz 1/2 4.0×10 -14/Hz 1/2 4.0×10 -15/Hz 1/2 4.2×10 -15/Hz 1/2 4.4×10 -14/Hz 1/2 4.9×10 -15/Hz 1/2 4×10 -13/Hz 1/2 4×10 -14/Hz 1/2 4×10 -15/Hz 1/2 5.0×10 -13/Hz 1/2 5.0×10 -14/Hz 1/2 5.0×10 -15/Hz 1/2 5.3×10 -15/Hz 1/2 5.5×10 -13/Hz 1/2 5.5×10 -14/Hz 1/2 5×10 -13/Hz 1/2 5×10 -14/Hz 1/2 5×10 -15/Hz 1/2 6.0×10 -14/Hz 1/2 6.5×10 -14/Hz 1/2 6×10 -13/Hz 1/2 6×10 -14/Hz 1/2 7.0×10 -14/Hz 1/2 7.0×10 -15/Hz 1/2 7×10 -14/Hz 1/2 8.5×10 -13/Hz 1/2 8.6×10 -15/Hz 1/2 9.0×10 -14/Hz 1/2 9×10 -15/Hz 1/2

PIN-фотодиод PIN-фотодиод с TE-охлаждением Модуль с оптической розеткой СВЧ PIN-фотодиод

InGaAs

Волоконно-оптические измерения Высокоскоростная оптическая связь Высокоскоростные ВОЛС до 2,1 ГГц Высокоскоростные ВОЛС с разъемным вводом Высокоскоростные волоконные тракты Высокочувствительная ИК-спектроскопия ИК-радиометрия и спектрофотометрия ИК-радиометрия и фотометрия Оптические измерения и телеметрия Портативные оптические датчики Прецизионная ИК-фотометрия СВЧ-фотоника и широкополосная связь Сбор рассеянного ИК-излучения Фотометрия слабых ИК-сигналов

900

1670 1700

2,1

100

Модель	Название	Фоточувствительность (тип.) [А/Вт]	Темновой ток (макс.) [нА]	Частота среза (тип.) [МГц]	Тип корпуса	Категория корпуса	Количество элементов	Диапазон спектральной чувствительности [мкм]	Длина волны максимальной чувствительности (тип.) [мкм]	Емкость выводов (тип.) [пФ]	Охлаждение	Условия измерения	Размер фоточувствительной области [мм]	Эквивалентная мощность шума (тип.) [Вт/Гц^(1/2)]	Тип	Материал фоточувствительного элемента	Назначение	Длина волны (коротковолновая граница) [нм]	Длина волны (длинноволновая граница) [нм]	Частота среза (тип.) [ГГц]	Фоточувствительность (тип.) [нА]
G6742-003	InGaAs PIN фотодиод G6742-003 Hamamatsu	0,95	—	300	Керамика (SMT)	Керамика (SMT)	1	—	1,55	—	Нет	—	Ø0,3	—	PIN-фотодиод	InGaAs	Высокоскоростная оптическая связь	900	1700	—	—
G6742-01	InGaAs PIN фотодиод G6742-01 Hamamatsu	0,95	—	35	Керамика (SMT)	Керамика (SMT)	1	—	1,55	—	Нет	—	Ø1,0	—	PIN-фотодиод	InGaAs	Оптические измерения и телеметрия	900	1700	—	—
G9822-11	InGaAs PIN фотодиод с пигтейлом G9822-11 Hamamatsu	1,6	—	—	Гибкий вывод (Pigtail)	Гибкий вывод (Pigtail)	1	—	1,3	—	Нет	—	Ø2,54	—	PIN-фотодиод	InGaAs	Высокоскоростные волоконные тракты	—	—	2,1	—
G9822-12	InGaAs PIN фотодиод с пигтейлом G9822-12 Hamamatsu	1,7	—	—	Гибкий вывод (Pigtail)	Гибкий вывод (Pigtail)	1	—	1,3	—	Нет	—	Ø2,54	—	PIN-фотодиод	InGaAs	Высокоскоростные волоконные тракты	—	—	2,1	—
G9821-22	InGaAs PIN фотодиод с разъемом G9821-22 Hamamatsu	1,5	—	—	С разъемом (Receptacle)	С разъемом (Receptacle)	1	—	1,3	—	Нет	—	Ø2,54	—	Модуль с оптической розеткой	InGaAs	Высокоскоростные ВОЛС с разъемным вводом	—	—	2,1	—
G9821-32	InGaAs PIN фотодиод с разъемом G9821-32 Hamamatsu	1,5	—	—	С разъемом (Receptacle)	С разъемом (Receptacle)	1	—	1,3	—	Нет	—	Ø2,54	—	Модуль с оптической розеткой	InGaAs	Высокоскоростные ВОЛС с разъемным вводом	—	—	2,1	—
G8605-11	InGaAs фотодиод G8605-11 Hamamatsu	0,95	—	18	TO-8	TO-8	1	—	1,55	—	Нет	—	Ø1,0	—	PIN-фотодиод	InGaAs	ИК-радиометрия и спектрофотометрия	900	1670	—	—
G8605-12	InGaAs фотодиод G8605-12 Hamamatsu	0,95	—	4	TO-8	TO-8	1	—	1,55	—	Нет	—	Ø2,0	—	PIN-фотодиод	InGaAs	ИК-радиометрия и спектрофотометрия	900	1670	—	—
G8605-13	InGaAs фотодиод G8605-13 Hamamatsu	0,95	—	2	TO-8	TO-8	1	—	1,55	—	Нет	—	Ø3,0	—	PIN-фотодиод	InGaAs	ИК-радиометрия и фотометрия	900	1670	—	—
G8605-15	InGaAs фотодиод G8605-15 Hamamatsu	0,95	—	0,6	TO-8	TO-8	1	—	1,55	—	Нет	—	Ø5,0	—	PIN-фотодиод	InGaAs	Сбор рассеянного ИК-излучения	900	1670	—	—
G8195-11	InGaAs фотодиод с волоконным выводом G8195-11 Hamamatsu	0,95	—	2	Гибкий вывод (Pigtail)	Гибкий вывод (Pigtail)	1	—	1,55	—	Нет	—	Ø2,54	—	PIN-фотодиод	InGaAs	Волоконно-оптические измерения	900	1700	—	—
G8195-12	InGaAs фотодиод с волоконным выводом G8195-12 Hamamatsu	0,95	—	2	Гибкий вывод (Pigtail)	Гибкий вывод (Pigtail)	1	—	1,55	—	Нет	—	Ø2,54	—	PIN-фотодиод	InGaAs	Волоконно-оптические измерения	900	1700	—	—
G10899-003K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G10899-003K	1	1,5	300	Металлический	TO-18	1	0.5 .. 1.7	1,55	10	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ0.3	5×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G10899-005K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G10899-005K	1	2.5	150	Металлический	TO-18	1	0.5 .. 1.7	1.55	20	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ0.5	9×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G10899-01K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G10899-01K	1	5	45	Металлический	TO-18	1	0.5 .. 1.7	1.55	70	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ1.0	2×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G10899-02K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G10899-02K	1	25	10	Металлический	TO-5	1	0.5 .. 1.7	1.55	300	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ2.0	3×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G10899-03K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G10899-03K	1	75	5	Металлический	TO-5	1	0.5 .. 1.7	1.55	600	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ3.0	5×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G11193-02R	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G11193-02R	1	0.8	1000	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 1.7	1.55	3	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ0.2	3×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G11193-03R	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G11193-03R	1	1.2	500	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 1.7	1.55	5	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ0.3	4×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G11193-10R	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G11193-10R	1	4	60	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 1.7	1.55	55	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ1.0	1.4×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12180-003A	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12180-003A	1.1	0.5	600	Металлический	TO-18	1	0.9 .. 1.7	1.55	5	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ0.3	4.2×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12180-005A	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12180-005A	1.1	0.75	200	Металлический	TO-18	1	0.9 .. 1.7	1.55	15	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, -3dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ0.5	7.0×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12180-010A	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12180-010A	1.1	4	60	Металлический	TO-18	1	0.9 .. 1.7	1.55	55	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ1.0	1.4×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12180-020A	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12180-020A	1.1	7.5	13	Металлический	TO-5	1	0.9 .. 1.7	1.55	250	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ2.0	2.8×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12180-030A	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12180-030A	1.1	12.5	7	Металлический	TO-5	1	0.9 .. 1.7	1.55	450	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ3.0	4.4×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12180-050A	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12180-050A	1.1	25	3	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.7	1.55	1000	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ5.0	7.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12180-110A	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12180-110A	1.1	0.1	40	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.67	1.55	75	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ1.0	2.0×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12180-120A	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12180-120A	1.1	0.5	13	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.67	1.55	250	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ2.0	4.0×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12180-130A	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12180-130A	1.1	0.8	7	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.67	1.55	450	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ3.0	4.9×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12180-150A	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12180-150A	1.1	1.67	3	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.67	1.55	1000	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ5.0	8.6×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12180-210A	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12180-210A	1.1	0.06	40	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.65	1.55	75	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ1.0	1.3×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12180-220A	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12180-220A	1.1	0.2	13	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.65	1.55	250	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ2.0	2.7×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12180-230A	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12180-230A	1.1	0.35	7	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.65	1.55	450	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ3.0	3.2×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12180-250A	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12180-250A	1.1	0.75	3	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.65	1.55	1000	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц	φ5.0	5.3×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-003K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-003K	1.1	10	90	Металлический	TO-18	1	0.9 .. 1.9	1.75	25	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.3	2.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-005K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-005K	1.1	30	35	Металлический	TO-18	1	0.9 .. 1.9	1.75	70	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.5	3.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-010K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-010K	1.1	100	10	Металлический	TO-18	1	0.9 .. 1.9	1.75	230	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ1.0	6.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-020K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-020K	1.1	500	2.5	Металлический	TO-5	1	0.9 .. 1.9	1.75	1000	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ2.0	1.5×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-030K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-030K	1.1	1000	1.5	Металлический	TO-5	1	0.9 .. 1.9	1.75	2000	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ3.0	2.0×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-103K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-103K	1.1	1	140	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.87	1.75	22	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.3	5.0×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-105K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-105K	1.1	3	50	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.87	1.75	64	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.5	7.0×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-110K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-110K	1.1	10	16	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.87	1.75	200	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ1.0	1.5×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-120K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-120K	1.1	50	3.5	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.87	1.75	900	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ2.0	3.5×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-130K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-130K	1.1	100	1.8	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.87	1.75	1800	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ3.0	5.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-203K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-203K	1.1	0.5	150	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.85	1.75	20	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.3	3.5×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-205K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-205K	1.1	1.5	53	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.85	1.75	60	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.5	5.0×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-210K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-210K	1.1	5	17	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.85	1.75	195	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ1.0	1.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-220K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-220K	1.1	25	3.7	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.85	1.75	850	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ2.0	2.5×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12181-230K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12181-230K	1.1	50	1.9	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.85	1.75	1700	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ3.0	3.5×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-003K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-003K	1.2	100	90	Металлический	TO-18	1	0.9 .. 2.1	1.95	25	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.3	6.5×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-005K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-005K	1.2	200	35	Металлический	TO-18	1	0.9 .. 2.1	1.95	70	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.5	1.5×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-010K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-010K	1.2	1000	10	Металлический	TO-18	1	0.9 .. 2.1	1.95	230	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ1.0	2.5×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-020K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-020K	1.2	5000	2.5	Металлический	TO-5	1	0.9 .. 2.1	1.95	1000	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ2.0	5.5×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-030K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-030K	1.2	10000	1.5	Металлический	TO-5	1	0.9 .. 2.1	1.95	2000	Без охлаждения	тип. Tc=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ3.0	8.5×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-103K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-103K	1.2	10	140	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.07	1.95	22	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.3	1.5×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-105K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-105K	1.2	30	50	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.07	1.95	64	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.5	3.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-110K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-110K	1.2	100	16	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.07	1.95	200	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ1.0	5.5×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-120K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-120K	1.2	500	3.5	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.07	1.95	900	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ2.0	1.5×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-130K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-130K	1.2	1000	1.8	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.07	1.95	1800	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ3.0	2.0×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-203K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-203K	1.2	5	150	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.05	1.95	20	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.3	1.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-205K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-205K	1.2	15	53	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.05	1.95	60	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.5	2.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-210K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-210K	1.2	50	17	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.05	1.95	195	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ1.0	4.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-220K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-220K	1.2	250	3.7	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.05	1.95	850	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ2.0	9.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12182-230K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12182-230K	1.2	500	1.9	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.05	1.95	1700	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ3.0	1.5×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-003K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-003K	1.3	4000	50	Металлический	TO-18	1	0.9 .. 2.6	2.3	50	Без охлаждения	тип. Tc=-25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.3	4×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-005K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-005K	1.3	10000	20	Металлический	TO-18	1	0.9 .. 2.6	2.3	140	Без охлаждения	тип. Tc=-25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.5	5×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-010K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-010K	1.3	30000	6	Металлический	TO-18	1	0.9 .. 2.6	2.3	500	Без охлаждения	тип. Tc=-25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ1.0	1×10 -12/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-020K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-020K	1.3	100000	1.5	Металлический	TO-5	1	0.9 .. 2.6	2.3	1800	Без охлаждения	тип. Tc=-25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ2.0	2×10 -12/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-030K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-030K	1.3	300000	0.8	Металлический	TO-5	1	0.9 .. 2.6	2.3	4000	Без охлаждения	тип. Tc=-25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ3.0	3×10 -12/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-103K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-103K	1.3	1200	70	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.57	2.3	44	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.3	1×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-105K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-105K	1.3	3000	25	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.57	2.3	120	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.5	1.5×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-110K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-110K	1.3	9000	7	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.57	2.3	440	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ1.0	2.5×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-120K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-120K	1.3	30000	2	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.57	2.3	1500	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ2.0	5.5×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-130K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-130K	1.3	90000	0.9	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.57	2.3	3400	Однокаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-10 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ3.0	8.5×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-203K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-203K	1.3	850	75	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.55	2.3	40	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.3	7×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-205K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-205K	1.3	2100	28	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.55	2.3	110	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.5	1×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-210K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-210K	1.3	6500	8	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.55	2.3	400	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ1.0	2×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-210KA-03	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-210KA-03	1.3	100	4	Металлический	TO-66	1	0.9 .. 2.55	2.3	500	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =10 mV, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ1.0	2×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-220K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-220K	1.3	21000	2.3	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.55	2.3	1400	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ2.0	4×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G12183-230K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G12183-230K	1.3	60000	1	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 2.55	2.3	3200	Двухкаскадное термоэлектрическое охлаждение	тип. Tc=-20 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ3.0	6×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G13176-003P	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G13176-003P	1	0.8	600	Пластиковый	Поверхностный монтаж (COB)	1	0.9 .. 1.7	1.55	5	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ0.3	5×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G13176-010P	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G13176-010P	1	4	60	Пластиковый	Поверхностный монтаж (COB)	1	0.9 .. 1.7	1.55	55	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ1.0	1.4×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G14448-003L	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G14448-003L	0.95	0.8	600	Пластиковый	поверхностный монтаж	1	0.9 .. 1.7	1.55	5	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ0.3	5×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G14942-22	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G14942-22	0.95	0.4	2000	Оптическая розетка (Receptacle)	Плата Flip-Chip	1	0.9 .. 1.7	1.55	1	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, λ=1.55 мкм, -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц, если не указано иное	—	—	—	—	—	—	—	—	—
G14942-32	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G14942-32	0.95	0.4	2000	Оптическая розетка (Receptacle)	Панель Flip-Chip	1	0.9 .. 1.7	1.55	1	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, λ=1.55 мкм, -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц, если не указано иное	—	—	—	—	—	—	—	—	—
G15553-003C	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G15553-003C	1.1	0.5	600	Керамический	Поверхностный монтаж (негерметичный)	1	0.9 .. 1.7	1.55	5	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ0.3	4.0×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G15553-005C	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G15553-005C	1.1	0.75	200	Керамический	Поверхностный монтаж (негерметичный)	1	0.9 .. 1.7	1.55	15	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ0.5	7.0×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G15553-010C	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G15553-010C	1.1	4	60	Керамический	Поверхностный монтаж (негерметичный)	1	0.9 .. 1.7	1.55	55	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ1.0	2.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G17190-003K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G17190-003K	1	0.5	600	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 1.7	1.55	5	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ0.3	4.2×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G17190-005K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G17190-005K	1	0.75	200	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 1.7	1.55	15	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ0.5	7.0×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G17190-010K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G17190-010K	1	4	60	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 1.7	1.55	55	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ1.0	1.4×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G17191-003K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G17191-003K	1.1	10	90	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 1.9	1.75	25	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.3	2.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G17191-005K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G17191-005K	1.1	30	35	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 1.9	1.75	70	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.5	3.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G17191-010K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G17191-010K	—	30	10	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 1.9	1.75	230	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ1.0	6.0×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	100
G17192-003K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G17192-003K	1.2	100	90	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 2.1	1.95	25	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.3	6.5×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G17192-005K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G17192-005K	1.2	200	35	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 2.1	1.95	70	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.5	1.5×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G17192-010K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G17192-010K	1.2	1000	10	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 2.1	1.95	230	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ1.0	2.5×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G17193-003K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G17193-003K	1.3	4000	50	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 2.6	2.3	50	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.3	4.0×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G17193-005K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G17193-005K	1.3	10000	20	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 2.6	2.3	140	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ0.5	5.0×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G17193-010K	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G17193-010K	1.3	30000	6	Керамический	Для поверхностного монтажа (SMD)	1	0.9 .. 2.6	2.3	500	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =0.5 В, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ1.0	1.0×10 -12/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G6854-01	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G6854-01	0.95	0.4	2000	Металлический	TO-18 (с линзой)	1	0.9 .. 1.7	1.55	1	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, λ=1.3 мкм -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	φ0.08	2×10 -15/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G8370-10	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G8370-10	1	2000	0.1	Керамический	—	1	0.9 .. 1.7	1.55	20000	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =10 mV, Частота среза: V R =0 В, R L =50 Ω, Емкость выводов: V R =0 В, f=1 МГц	φ10.0	6×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G8370-81	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G8370-81	1.1	5	35	Металлический	TO-18	1	0.9 .. 1.7	1.55	90	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, -3 dB, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц, если не указано иное	φ1.0	2×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G8370-82	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G8370-82	1.1	25	4	Металлический	TO-5	1	0.9 .. 1.7	1.55	550	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, -3 dB, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц, если не указано иное	φ2.0	4×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G8370-83	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G8370-83	1.1	75	2	Металлический	TO-5	1	0.9 .. 1.7	1.55	1000	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, -3 dB, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц, если не указано иное	φ3.0	6×10 -14/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G8370-85	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G8370-85	1.1	125	0.6	Металлический	TO-8	1	0.9 .. 1.7	1.55	3500	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =1 В, Частота среза: V R =1 В, R L =50 Ω, -3 dB, Емкость выводов: V R =1 В, f=1 МГц, если не указано иное	φ5.0	1×10 -13/Hz 1/2	—	—	—	—	—	—	—
G9801-22	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G9801-22	0.95	0.95	2000	Оптическая розетка (Receptacle)	Плата Flip-Chip	1	0.9 .. 1.7	1.55	1	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, λ=1.3 мкм, -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	—	—	—	—	—	—	—	—	—
G9801-32	InGaAs-фотодиод Hamamatsu G9801-32	0.95	0.95	2000	Оптическая розетка (Receptacle)	Панель Flip-Chip	1	0.9 .. 1.7	1.55	1	Без охлаждения	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Фоточувствительность: λ=λp, Темновой ток: V R =5 В, Частота среза: V R =5 В, R L =50 Ω, λ=1.3 мкм, -3 dB, Емкость выводов: V R =5 В, f=1 МГц	—	—	—	—	—	—	—	—	—
G8941-01	SMD InGaAs PIN фотодиод G8941-01 Hamamatsu	0,95	—	35	SMT (2 × 2 × 1 мм)	SMT (2 × 2 × 1 мм)	1	—	1,55	—	Нет	—	Ø1,0	—	PIN-фотодиод	InGaAs	Портативные оптические датчики	900	1700	—	—
G8941-02	SMD InGaAs PIN фотодиод G8941-02 Hamamatsu	0,95	—	200	SMT (2 × 2 × 1 мм)	SMT (2 × 2 × 1 мм)	1	—	1,55	—	Нет	—	Ø0,5	—	PIN-фотодиод	InGaAs	Высокоскоростная оптическая связь	900	1700	—	—
G8941-03	SMD InGaAs PIN фотодиод G8941-03 Hamamatsu	0,95	—	400	SMT (2 × 2 × 1 мм)	SMT (2 × 2 × 1 мм)	1	—	1,55	—	Нет	—	Ø0,3	—	PIN-фотодиод	InGaAs	СВЧ-фотоника и широкополосная связь	900	1700	—	—
G8605-21	Охлаждаемый InGaAs фотодиод G8605-21 Hamamatsu	0,95	—	18	TO-8	TO-8	1	—	1,55	—	Элемент Пельтье	—	Ø1,0	—	PIN-фотодиод с TE-охлаждением	InGaAs	Высокочувствительная ИК-спектроскопия	900	1670	—	—
G8605-22	Охлаждаемый InGaAs фотодиод G8605-22 Hamamatsu	0,95	—	4	TO-8	TO-8	1	—	1,55	—	Элемент Пельтье	—	Ø2,0	—	PIN-фотодиод с TE-охлаждением	InGaAs	Высокочувствительная ИК-спектроскопия	900	1670	—	—
G8605-23	Охлаждаемый InGaAs фотодиод G8605-23 Hamamatsu	0,95	—	2	TO-8	TO-8	1	—	1,55	—	Элемент Пельтье	—	Ø3,0	—	PIN-фотодиод с TE-охлаждением	InGaAs	Фотометрия слабых ИК-сигналов	900	1670	—	—
G8605-25	Охлаждаемый InGaAs фотодиод G8605-25 Hamamatsu	0,95	—	0,6	TO-8	TO-8	1	—	1,55	—	Элемент Пельтье	—	Ø5,0	—	PIN-фотодиод с TE-охлаждением	InGaAs	Прецизионная ИК-фотометрия	900	1670	—	—
G9820	СВЧ InGaAs PIN фотодиод G9820 Hamamatsu	1,5	—	—	TO-46	TO-46	1	—	1,3	—	Нет	—	Ø5,4	—	СВЧ PIN-фотодиод	InGaAs	Высокоскоростные ВОЛС до 2,1 ГГц	—	—	2,1	—
G9820-02	СВЧ InGaAs PIN фотодиод G9820-02 Hamamatsu	1,5	—	—	TO-46	TO-46	1	—	1,3	—	Нет	—	Ø5,4	—	СВЧ PIN-фотодиод	InGaAs	Высокоскоростные ВОЛС до 2,1 ГГц	—	—	2,1	—

Таблица характеристик

Настройка таблицы

Фотодиоды