Матрицы кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu

Модель	Документация	Название	Условия измерения	Размер изображения [мм]	Количество эффективных пикселей	Частота строк (макс.) [строк/с]	Длина волны максимума чувствительности [нм]	Напряжение питания [В]	Размер пикселя [мм]	Шаг пикселей [мм]	Емкость обратной связи зарядового усилителя [пФ]	Примечание	Сцинтиллятор	Длина волны (коротковолновая граница) [нм]	Длина волны (длинноволновая граница) [нм]	Размер фоточувствительной области [мм]	Шаг пикселей [мкм]	В запрос
S8865-128		S8865-128 Hamamatsu Photodiode Arrays with Amplifiers	—	—	128	—	—	—	—	—	—	—	—	200	1000	0.4 mm pitch × 128 ch	400
S8865-128G		S8865-128G Hamamatsu Photodiode Arrays with Amplifiers	—	—	128	—	—	—	—	—	—	—	—	200	1000	0.4 mm pitch × 128 ch	400
S8865-256		S8865-256 Hamamatsu Photodiode Arrays with Amplifiers	—	—	256	—	—	—	—	—	—	—	—	200	1000	0.2 mm pitch × 256 ch	200
S8865-256G		S8865-256G Hamamatsu Photodiode Arrays with Amplifiers	—	—	256	—	—	—	—	—	—	—	—	200	1000	0.2 mm pitch × 256 ch	200
S8865-64		S8865-64 Hamamatsu Photodiode Arrays with Amplifiers	—	—	64	—	—	—	—	—	—	—	—	200	1000	0.8 mm pitch × 64 ch	800
S8865-64G		S8865-64G Hamamatsu Photodiode Arrays with Amplifiers	—	—	64	—	—	—	—	—	—	—	—	200	1000	0.8 mm pitch × 64 ch	800
S8866-128-02		S8866-128-02 Hamamatsu Photodiode Arrays with Amplifiers	—	—	128	—	—	—	—	—	—	—	—	200	1000	0.8 mm pitch × 128 ch	800
S8866-128G-02		S8866-128G-02 Hamamatsu Photodiode Arrays with Amplifiers	—	—	128	—	—	—	—	—	—	—	—	200	1000	0.8 mm pitch × 128 ch	800
S8866-64-02		S8866-64-02 Hamamatsu Photodiode Arrays with Amplifiers	—	—	64	—	—	—	—	—	—	—	—	200	1000	1.6 mm pitch × 64 ch	1600
S8866-64G-02		S8866-64G-02 Hamamatsu Photodiode Arrays with Amplifiers	—	—	64	—	—	—	—	—	—	—	—	200	1000	1.6 mm pitch × 64 ch	1600
S11865-128		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S11865-128	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное	51.2 × 0.6	средний уровень яркости участка изображения	7568	720	5	0.3 × 0.6	0.4	0.5	—	—	—	—	—	—
S11865-128G		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S11865-128G	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Длина волны максимальной чувствительности: without phosphor sheet	51.2 × 0.6	средний уровень яркости участка изображения	7568	720	5	0.3 × 0.6	0.4	0.5	франко-рельсы	тонколистный	—	—	—	—
S11865-256		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S11865-256	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное	51.2 × 0.3	средний уровень яркости участка изображения	3844	720	5	0.1 × 0.3	0.2	0.5	—	—	—	—	—	—
S11865-256G		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S11865-256G	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Длина волны максимальной чувствительности: without phosphor sheet	51.2 × 0.3	средний уровень яркости участка изображения	3844	720	5	0.1 × 0.3	0.2	0.5	франко-рельсы	тонколистный	—	—	—	—
S11865-64		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S11865-64	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное	51.2 × 0.8	средний уровень яркости участка изображения	14678	720	5	0.7 × 0.8	0.8	0.5	—	—	—	—	—	—
S11865-64G		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S11865-64G	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Длина волны максимальной чувствительности: without phosphor sheet	51.2 × 0.8	средний уровень яркости участка изображения	14678	720	5	0.7 × 0.8	0.8	0.5	франко-рельсы	тонколистный	—	—	—	—
S11866-128-02		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S11866-128-02	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное	102.4 × 0.8	средний уровень яркости участка изображения	7568	720	5	0.7 × 0.8	0.8	0.5	—	—	—	—	—	—
S11866-128G-02		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S11866-128G-02	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Длина волны максимальной чувствительности: without phosphor sheet	102.4 × 0.8	средний уровень яркости участка изображения	7568	720	5	0.7 × 0.8	0.8	0.5	франко-рельсы	тонколистный	—	—	—	—
S11866-64-02		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S11866-64-02	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное	102.4 × 1.6	средний уровень яркости участка изображения	14678	720	5	1.5 × 1.6	1.6	0.5	—	—	—	—	—	—
S11866-64G-02		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S11866-64G-02	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Длина волны максимальной чувствительности: without phosphor sheet	102.4 × 1.6	средний уровень яркости участка изображения	14678	720	5	1.5 × 1.6	1.6	0.5	франко-рельсы	тонколистный	—	—	—	—
S13885-128		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S13885-128	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное	51.2 × 0.6	средний уровень яркости участка изображения	7568	720	3.3	0.3 × 0.6	0.4	0.125	—	—	—	—	—	—
S13885-128G		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S13885-128G	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Длина волны максимальной чувствительности: without phosphor sheet	51.2 × 0.6	средний уровень яркости участка изображения	7568	720	3.3	0.3 × 0.6	0.4	0.125	высокая чувствительность	тонколистный	—	—	—	—
S13885-256		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S13885-256	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное	51.2 × 0.3	средний уровень яркости участка изображения	3844	720	3.3	0.1 × 0.3	0.2	0.125	—	—	—	—	—	—
S13885-256G		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S13885-256G	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Длина волны максимальной чувствительности: without phosphor sheet	51.2 × 0.3	средний уровень яркости участка изображения	3844	720	3.3	0.1 × 0.3	0.2	0.125	высокая чувствительность	тонколистный	—	—	—	—
S13886-128		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S13886-128	Типовое значение Ta = 25 °C, если не указано иное	102.4 × 0.8	средний уровень яркости участка изображения	7568	720	3.3	0.7 × 0.8	0.8	0.125	—	—	—	—	—	—
S13886-128G		Матрица кремниевых фотодиодов с усилителем Hamamatsu S13886-128G	тип. Ta=25 °C, если не указано иное, Длина волны максимальной чувствительности: without phosphor sheet	102.4 × 0.8	средний уровень яркости участка изображения	7568	720	3.3	0.7 × 0.8	0.4	0.125	высокая чувствительность	тонколистный	—	—	—	—