ЮЕ ТЕХ

InAsSb фотодиод Р12691-201

15 августа 2014 г.

Фотодиод на антимониде-арсениде индия (InAsSb) с быстрым временем отклика и высокой чувствительностью в диапазоне 8 микрон 

 

P12691-201 – инфракрасный детектор, обеспечивающий высокую чувствительность в спектральном диапазоне 8 мк за счёт использования линзы, полученной по нашей уникальной технологии выращивания кристаллов, и структуры с освещением с обратной стороны подложки. Структура pn-перехода в этом фотодиоде из антимонида-арсенида индия (InAsSb) обеспечивает высокое быстродействие и высокую надёжность. Среди типовых применений – анализ содержания таких газов, как NO, NO2 и N2O. P12691-201 прост в использовании, поскольку в его корпус типа ТО-8 встроен термоэлектронный охладитель, не требующий жидкого азота.

 

                  Р12691-201

  Характеристики:
  • Высокое быстродействие
  • Высокая чувствительность
  • Высокая надёжность
  • Компактный корпус ТО-8 с термоэлектронным охлаждением
  • Удовлетворяет спецификации RoHS
  • Может собираться в модули с лазерами на квантовых каскадах

Применения:

  • Анализ состава газов
  • Радиационная термометрия
  • Тепловидение
  • Бесконтактные датчики
  • Инфракрасная Фурье-спектроскопия
  • Спектрофотометрия

  

 

 Технические данные:

Параметр

Условие

 Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

Фоточувствительная площадь

–

Ø1,0

мм

Длина волны в максимуме чувствительности

–

–

6,7

–

мк

Красная граница

–

8,2

8,3

–

мк

Фоточувствительность

λ = λp

0,8

1,2

–

А/Вт

Сопротивление шунта

VR = 10 мВ

13

40

–

Ом

Обнаружительная способность

(λp, 600, 1)

4,0 х 109

6,0 х 109

–

см*Гц1/2/Вт

Эквивалентная шумовая мощность

λ = λp

–

1,5 х 10-11

2,3 х 10-11

Вт/Гц1/2

Время нарастания

VR = 0 D, RL = 50 Ом, от 0 до 63%

–

–

10

нс

 

 

 

Предыдущая Следующая