Другие ИК и УФ детекторы

 

На основе композитных материалов группы AIII-BV Hamamatsu производят детекторы, работающие в диапазоне длин волн от ультрафиолета на 190 нм на основе GaAsP и до инфракрасного спектра на 11 мкм на основе InAsSb с термоэлектрическим охлаждением.  Для ИК фотодетекторов есть версии с охлаждением жидким азотом в сосуде Дьюара. Также доступны модули инфракрасных детекторов, которые содержат в едином корпусе сам детектор, охлаждение и предусилитель. Кроме того, производятся также т.н. детекторы на "термостолбиках", работающие вплоть до 25 мкм. Указанные приборы находят широкое применение начиная от измерения уровня окружающего света и до детектирования излучения CO2 лазера.

Фотодиоды на основе GaAsP и GaP имеют спектральную характеристику, аналогичную спектру восприятия света человеческим глазом. В отличие от кремниевых фотодиодов, но также как и человеческий глаз, эти фотодиоды имеют подавленную спектральную характеристику в длинноволновой области. Обычно они работают в диапазоне длин волн от 280 нм и до 760 нм. Некоторые фотодиоды могу работать в диапазоне длин волн начиная со 190 нм. Обычно фотодиоды на соединениях GaAsP и GaP используются для детектирования УФ излучения, в спектрометрии и для определения цвета.

 

Каталоги

InAs, InAsSb, InSb детекторы

Артикулλотсечки, нмλmax, нмКорпусОхлаждениеРазмер активной области
P5968-1005.55.3Metal dewarLiquid nitrogenф1
P5968-2005.55.3Metal dewarLiquid nitrogenф2
P5968-3005.55.3Metal dewarLiquid nitrogenф3
P4247-165.55.3Metal dewarLiquid nitrogen0.25 × 1.4
P4247-445.55.3Metal dewarLiquid nitrogen0.45 × 0.45
P6606-1106.75.5TO-8One-stage TE-cooled1 ×1
P6606-2106.55.5TO-8Two-stage TE-cooled1 ×1
P6606-3056.35.5TO-3Three-stage TE-cooled0.5 × 0.5
P6606-3106.35.5TO-3Three-stage TE-cooled1 ×1
P6606-3206.35.5TO-3Three-stage TE-cooled2 ×2
P10090-013.653.35TO-5Non-cooledф1
P10090-113.553.3TO-8One-stage TE-cooledф1
P10090-213.453.25TO-8Two-stage TE-cooledф1
P71633.13Metal dewarLN2ф1
P11120-2015.94.9TO-8Two-stage TE-cooledф1
P12691-2018.36.7TO-8Two-stage TE-cooledф1
P13243-011CA5.33.5CeramicNon-cooled0.7 × 0.7
P13243-011MA5.33.5TO-46Non-cooled0.7 × 0.7
P13894-011NA115.6TO-5Non-cooled1×1
P13894-011MA115.6TO-5Non-cooled1×1
P13894-211MA115.6TO-8Two-stage TE-cooled1×1

Thermopile детекторы

Артикулλ, мкмКорпусТемпература Диаметр
T11262-064.45TO-18-10 to +801.2 × 1.2
T11361-013 to 5TO-18-30 to +851.2 × 1.2
T11361-054.3TO-18-10 to +801.2 × 1.2
T11722-01For reference: 3.9 (0.09) For CO2: 4.3 (0.14)Metal package (TO-5)-30 to +851.2 × 1.2

Двухцветные детекторы

Артикулλmax, нмλmin, нмЭл-т АЭл-т Б
K1713-051.70.32SiInGaAs
K1713-082.60.32SiInGaAs
K1713-091.70.32SiInGaAs
K3413-051.670.32SiInGaAs
K3413-082.570.32SiInGaAs
K3413-091.670.32SiInGaAs
K11908-010KЭл-т А: 1.7 Эл-т Б: 2.55Эл-т А: 0.9 Эл-т Б: 1.7InGaAs (λc=1.7 μm)InGaAs (λc=2.55 μm)
K12728-010KЭл-т А: 1.1 Эл-т Б: 1.65Эл-т А: 0.32 Эл-т Б: 1.1SiInGaAs
K12729-010KЭл-т А: 1.7 Эл-т Б: 2.55Эл-т А: 0.9 Эл-т Б: 1.7InGaAs (λc=1.7 μm)InGaAs (λc=2.55 μm)

Фотодиоды на GaP и GaAsP

АртикулМатериал акт. областиРазмер активной областиλ, нм Время нарастанияТип корпуса
отдо
G1961GaP1.1x1.11905505метал.-
G1962GaP2.3x2.319055010метал.-
G1963GaP4.6x4.619055030метал.-
G1115GaAsP1.3x1.33006801метал.-
G1116GaAsP2.7x2.73006804метал.-
G1117GaAsP5.6x5.630068015метал.-
G1118GaAsP1.3x1.33006801керамич.-
G1120GaAsP5.6x5.630068015керамич.-
G1126-02GaAsP2.3x2.31906803.5метал.-
G1127-02GaAsP4.6x4.619068012метал.-
G2119GaAsP10.1x10.119068055керамич.-
G2711-01GaAsP1.3x1.33006801пластик.-
G3067GaAsP1.3x1.33006801метал.-
G5645GaAsP0.8x0.83005803метал.-
G5842GaAsP0.8x0.92604003пластик.-
G6262GaAsP0.8x0.82805803пластик.-

Модули ИК-детекторов

Артикулλmax, мкмКорпусОхлаждениеТип модуляРазмер активной области
C10439-101.55металлнетc конвертирующим усилителем, InGaAsØ1mm-
C10439-111.55металлнетc конвертирующим усилителем, InGaAsØ3mm-
C10439-143.5металлнетc конвертирующим усилителем, InAsSb0.7 X 0.7mm-
C12483-2501.55металлэлемент Пельтье (-15 ⁰С)с предусилителем, охлаждением, InGaAsØ5mm-
C12485-2101.95металлэлемент Пельтье (-15 ⁰С)с предусилителем, охлаждением, InGaAsØ1mm-
C12486-2102.3металлэлемент Пельтье (-15 ⁰С)с предусилителем, охлаждением, InGaAsØ1mm-
C12492-2103.25металлэлемент Пельтье (-28 ⁰С)с предусилителем, охлаждением, InAsØ1mm-
C12494-210M6.7металлэлемент Пельтье (-28 ⁰С)с предусилителем, охлаждением, InAsSbØ1mm-
C12494-210S4.9металлэлемент Пельтье (-28 ⁰С)с предусилителем, охлаждением, InAsSbØ1mm-
C12496-04610.6металлнетc конвертирующим усилителем, для CO2-лазераØ4.6mm-
G61211.55металлнетc конвертирующим усилителем, InGaAsØ5mm-
G7754-012дьюарный корпусжидкий азот (-196 ⁰С)с предусилителем, охлаждением, InGaAsØ1mm-
G7754-032дьюарный корпусжидкий азот (-196 ⁰С)с предусилителем, охлаждением, InGaAsØ3mm-
P4631-035.5металлэлемент Пельтье (-58 ⁰С)с предусилителем, охлаждением, InSb1 X 1mm-
P7751-015.3дьюарный корпусжидкий азот (-196 ⁰С)с предусилителем, охлаждением, InSbØ0.6mm-
P7751-025.3дьюарный корпусжидкий азот (-196 ⁰С)с предусилителем, охлаждением, InSbØ2mm-