Кремниевые датчики с расширенным ИК диапазоном

6 сентября 2013 г.

Новое поколение кремниевых приборов с расширенным диапазоном чувствительности в ближней ИК области
с использованием MEMS-структур

Представляем новое поколение сверхвысокочувствительных полупроводниковых датчиков, параметры которых превышают характеристики существующих кремниевых фотодиодов, кремниевых приборов с активной ячейкой и ПЗС-датчиков. В этих датчиках используются MEMS-структуры (микроэлектронномеханические системы), изготовленные по нашей уникальное технологии с лазерной обработкой и достигающие в ближнем ИК диапазоне очень высокой чувствительности. Они являются идеальным решением для таких применений, как оптические системы связи, измерение температур и флуоресцентная фотометрия.

 

Спектральная характеристика (кремниевый PIN фотодиод с увеличенным ИК откликом)

 

 

 

 

 

 
             
Спектральная характеристика (кремниевый датчик с активной ячейкой  с расширенным ИК откликом) 
Спектральная характеристика (ПЗС-приёмник  с расширенным ИК откликом)
 

                                                

 

 

 

 

 

 

 

  

Состав серии:

Изделие Обозн. Обычное изделие Размер активной области Корпус Применение Стр. №
Увеличенный ИК
Кремниевый PIN-фотодиод
Быстродействующий S11498 S9055 Ø 0,2 мм TO-18 Оптоволоконная связь 10
S11498-01 S9055-01 Ø 0,1 мм TO-18
С большой активной зоной S11499 Ø 3 мм TO-5 Монитор для лазеров на иттрий-алюминиевом гранате 10
S11499-01 S3759 Ø 5 мм TO-8
Увеличенный ИК
Приборы с активной ячейкой
Высокочувствительный S11518-10 S8890-10 Ø 1 мм TO-5 Монитор для лазеров на иттрий-алюминиевом гранате 11
S11518-30 S8890-30 Ø 3 мм TO-8
Низковольтный S11519-10 S8890-10 Ø 1 мм TO-5
S11519-30 S8890-30 Ø 3 мм TO-8
Увеличенный ИК
Датчики изображения на ПЗС
S11500-1007 S7030-1007 24 x 24 μм/1024 x 128 канала Керамический неохлаждаемый Раман-спектроскопия 12
S11510-1006 S10420-1006 14 x 14 μм/1024 x 64 канала
S11510-1106 S10420-1106 14 x 14 μм/2048 x 64 канала