Кремниевые датчики с расширенным ИК диапазоном
Новое поколение кремниевых приборов с расширенным диапазоном чувствительности в ближней ИК области
с использованием MEMS-структур
Представляем новое поколение сверхвысокочувствительных полупроводниковых датчиков, параметры которых превышают характеристики существующих кремниевых фотодиодов, кремниевых приборов с активной ячейкой и ПЗС-датчиков. В этих датчиках используются MEMS-структуры (микроэлектронномеханические системы), изготовленные по нашей уникальное технологии с лазерной обработкой и достигающие в ближнем ИК диапазоне очень высокой чувствительности. Они являются идеальным решением для таких применений, как оптические системы связи, измерение температур и флуоресцентная фотометрия.
Спектральная характеристика (кремниевый PIN фотодиод с увеличенным ИК откликом)
Спектральная характеристика (кремниевый датчик с активной ячейкой с расширенным ИК откликом) |
Спектральная характеристика (ПЗС-приёмник с расширенным ИК откликом) |
Состав серии:
Изделие | Обозн. | Обычное изделие | Размер активной области | Корпус | Применение | Стр. № | |
Увеличенный ИК Кремниевый PIN-фотодиод |
Быстродействующий | S11498 | S9055 | Ø 0,2 мм | TO-18 | Оптоволоконная связь | 10 |
S11498-01 | S9055-01 | Ø 0,1 мм | TO-18 | ||||
С большой активной зоной | S11499 | – | Ø 3 мм | TO-5 | Монитор для лазеров на иттрий-алюминиевом гранате | 10 | |
S11499-01 | S3759 | Ø 5 мм | TO-8 | ||||
Увеличенный ИК Приборы с активной ячейкой |
Высокочувствительный | S11518-10 | S8890-10 | Ø 1 мм | TO-5 | Монитор для лазеров на иттрий-алюминиевом гранате | 11 |
S11518-30 | S8890-30 | Ø 3 мм | TO-8 | ||||
Низковольтный | S11519-10 | S8890-10 | Ø 1 мм | TO-5 | |||
S11519-30 | S8890-30 | Ø 3 мм | TO-8 | ||||
Увеличенный ИК Датчики изображения на ПЗС |
S11500-1007 | S7030-1007 | 24 x 24 μм/1024 x 128 канала | Керамический неохлаждаемый | Раман-спектроскопия | 12 | |
S11510-1006 | S10420-1006 | 14 x 14 μм/1024 x 64 канала | |||||
S11510-1106 | S10420-1106 | 14 x 14 μм/2048 x 64 канала |