Фотодиодная матрица S13620-02 для неразрушающего контроля

8 октября 2018 г.

Кремниевая фотодиодная матрица с обратной засветкой для неразрушающего рентгеновского контроля

 S13620-02 - кремниевая матрица формата 8*8, имеющая структуру с обратной засветкой для использования в оборудовании неразрушающего рентгеновского контроля. Матрица с обратной засветкой проста в работе благодаря отсутствию металлических выводов на фоточувствительной области, соответственно, можно сцинтиллятор можно устанавливать не опасаясь повреждения выводов. Также, матрица разработана с минимальной "мертвой зоной" по краям детектора, что делает возможным состыковку нескольких матриц в единую площадь. Помимо этого, между каналами матрицы отсутствуют перекрестные помехи. 

  •  2D матрица (8 × 8 элементов);
  •  Спектральный диапазон: 400 - 1100 нм;
  •  Размеры корпуса: 24 (Д) × 24 (Ш) мм;
  •  Шаг элемента: 3.0 мм × 64 элемента;
  •  Легко совместить со сцинтиллятором;
  •  В фоточувствительной области нет металлических выводов и эффективность оптического соединения со сцинтиллятором максимизирована, матрица хорошо подходит для использования в оборудовании неразрушающего ренгтеновского контроля;
  • Можно стыковать несколько детекторов с минимальной "мертвой зоной"
  • Доступны с предустановленным сцинтиллятором (подробнее по запросу);

 Применения:

  • Общепромышленные измерения
  • Рентгеновский неразрушающий контроль и подобное
 

 

  Структура

 

Параметр

Значение

Ед. изм.

Размер корпуса

24 × 24

мм

Размер элемента

2.8 × 2.8

мм

Фоточувствительная область

2.5 × 2.5/элемент

мм

Число элементов

64 (8 × 8)

элементов

Материал корпуса

Эпоксидное стекло

-

 

Электрические и оптические характеристики

 

Параметр

Символ

Условия

Мин.

Тип.

Макс.

Ед. изм.

Спектральный диапазон

λ

 

-

400 to 1100

-

нм

Длина волны максимума чувствительности

λp

 

-

960

-

нм

Фоточувствительность

S

λ=540 nm

380

420

-

мА/Вт

λ=920 nm

550

610

-

Ток короткого замыкания

Isc

100 люкс, 2856 К

4.5

5.5

-

мкА

Темновой ток

ID

VR=10 мВ

-

10

300

пА

Время нарастания сигнала

tr

VR=0 В, RL=1 кОм

10 to 90%, λ=658 нм

-

15

-

мкс

Емкость выводов

Ct

VR=0 В, f=10 кГц

40

60

90

пФ

 

Спектр чувствительности