Фотодиодный массив с освещением с обратной стороны подложки
Hamamatsu представляет новую серию 16-канальных фотодиодных массивов, освещаемых с обратной стороны подложки предназначенных для применения в неразрушающем рентгеновском контроле. В S11212 и S11299 используется технология монтажа на шариковых выводах, благодаря которой излучение от сцинтиллятора поступает на фотодиодный массив с обратной стороны подложки.
Технология монтажа с помощью шариковых выводов снижает потребность в золотом проводе для разварки и дополнительных слоях на стороне оптического ввода, существенно снижая риск повреждения равзарочных проводов при установке сцинтиллятора.
В S11299 используется узкий корпус, легко стыкуемый с S11212 для получения изображения на двух энергиях. Сочетание двух массивов с различными толщинами сцинтиллятора по вертикали позволит добиться рентгеноскопии при высоких и низких энергиях. Для разнообразных прикладных применений возможно создание различных конфигураций. Эта новая серия фотодиодных массивов призвана значительно улучшить системы неразрушающего рентгеноскопического контроля, особенно при досмотре багажа.
Особенности:
- Структура с освещением с обратной стороны подложки
- Размер элемента: 1,175 мм (Ш) x 2.0 мм (В) на элемент
- Шаг расположения элементов: 1.575 мм(x 16 элементов)
- Возможность получения изображения при двух значениях энергии
Применения:
- Неразрушающий рентгеноскопический контроль
Серия S11212 - фотодиодный массив
Серия S11299 - фотодиодный массив
Компоновка (сравнение прибора с фронтальным освещением и с освещением с обратной стороны подложки)
Спектральная характеристика: (При ТОКР. = 25оС)
Характеристика спектральной чувствительности S11212 / S11299-121 / -321 / -421 с учётом пропускания и отражения эпоксидной смолы, используемой для приклейки сцинтиллятора.
Однородность: (При ТОКР. = 25оС)
Превосходная однородность
Уникальная конструкция датчика минимизирует изменения чувствительности между фотодиодными элементами, как и её изменение от одного конца датчика до другого. Однородность чувствительности в серии S11212 / S11299 значительно улучшена по сравнению с нашим предыдущим изделием (серия S5668) и поэтому формирует оптимальные рентгеновские изображения.
Электрооптические характеристики: (Тип., при ТОКР = 25оС, на элемент, для S11212-021, кроме рентгеновской чувствительности)
|
Параметр |
Обозн. |
Условия |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед. изм. |
|
|
Диапазон спектральной чувствительности |
l |
- |
- |
340 - 1100 |
- |
нм |
|
|
Длина волны в пике |
lp |
|
- |
920 |
- |
нм |
|
|
Фоточувствительность |
S |
l = 540 нм |
380 |
420 |
460 |
мА/Вт |
|
|
l = lp |
550 |
610 |
670 |
||||
|
Чувствительность к рентгеновскому излучению |
IscX |
*1 |
S11212-021 / S11299-021 |
- |
- |
- |
нА |
|
S11212-121 / S11299-121 |
- |
6,0 |
- |
||||
|
S11212-321 / S11299-321 |
- |
3,5 |
- |
||||
|
S11212-421 / S11299-421 |
- |
3,0 |
- |
||||
|
Темновой ток |
ID |
VR = 10 мВ |
- |
5 |
30 |
пА |
|
|
Время нарастания |
Tr |
VR = 0 В, Rнагр. = 1 кОм 10-90%, l = 658 нм |
- |
6,5 |
- |
мкс |
|
|
Ёмкость вывода |
Ct |
VR = 0 В, f = 10 кГц |
30 |
40 |
50 |
пФ |
|
*1: Значения для справки (напряжение на аноде рентгеновской трубки 120 кВ, ток трубки 1,0 мА, алюминиевый фильтр толщ. 6 мм, расстояние 830 мм).
Чувствительность к рентгеновскому излучению зависит от рабочего режима и конфигурационных параметров рентгеновского оборудования.